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技術參數

備注：根據用戶要求可提供不同粒度的產品。

應用方向

    主要應用于多晶硅和單晶熔煉過程中，石英坩堝脫模用。多晶硅和單晶硅生產時，在原料熔化、晶體生長過程中，硅熔體和坩堝長時間接觸會產生黏滯性。由于兩種材料的熱膨脹系數不同，如果硅材料和坩堝壁結合緊密，在晶體冷卻時很可能造成晶體硅或坩堝破裂。而硅熔體和坩堝的長時間接觸還會造成陶瓷坩堝的腐蝕，使多晶硅中的氧濃度升高。為了解決這些問題，國外工藝上一般采用高純氮化硅材料作為涂層附在坩堝的內壁，隔離硅熔體和坩堝的直接接觸，不僅解決了黏滯問題，而且可以降低多晶硅中的氧、炭等雜質濃度。利用定向凝固技術生長的鑄造多晶硅，多數情況下坩堝是消耗品，不能重復循環使用，即每爐多晶硅都需要消耗一只陶瓷坩堝。采用氮化硅涂層后可使石英陶瓷坩堝得到重復使用，大幅度降低生產成本我公司根據多晶硅和單晶硅生產工藝特點，開發銷售了石英坩堝專用脫膜劑及相關噴涂工藝。高純氮化硅脫模劑粒度在0.5-1.2微米之間，可以有效地解決在涂層高溫固化過程中的氧化問題，使多晶硅和單晶硅的純度獲得大幅度提高，其粉末的純度可達99.99％以上,可用作光伏工業中熔煉多晶硅鑄錠的石英坩堝涂層材料。可有效防止坩堝內壁與熔融硅料粘接，方便脫模，同時起到阻隔層作用，保證硅錠純度。與納米氮化硅或其他類型脫模劑相比，具有優異的抗氧化性能，確保生產過程中碳、氧等雜質濃度獲得有效控制。產品純度高，粒度均勻，性能上完全可與國外同類產品相比較，目前已實現批量化生產。因此可以解決目前國內的石英坩堝涂層粉完全依賴日本UBE、德國Starck等進口，且有較大成本優勢。

貯存條件
    本品應密封保存于干燥、陰涼的環境中，不宜長久暴露于空氣中，防受潮發生團聚，影響分散性能和使用效果，另應避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運輸。